4.2.  Задания к первому лабораторному занятию

 (Повторение ранее изученного материала)

 К первому лабораторному занятию студенты должны повторить ранее изученный материал и правила техники безопасности. Подготовиться к выполнению на лабораторном занятии одного из ниже приведенных заданий (задания предварительно распределяются между студентами).

 

1. Наблюдение на экране осциллографа вольтамперной характеристики полупроводникового диода.

   Рассчитать сопротивление эталонного резистора Rэт в схеме для наблюдения вольтамперной  характеристики диода на экране осциллографа ОМЛ-3М, зная, что при исследовании ток через диод в прямом направлении не будет превышать 25 мА. Рассчитать сопротивление ограничительного резистора Rогр и выбрать величину переменного напряжения таким образом, чтобы приложенное к диоду обратное напряжение не превышало 2 вольта. Провести калибровку осциллографа по осям Х и У.

2. Наблюдение на экране осциллографа входной характеристики биполярного транзистора в схеме включения с общим эмиттером.

Выбрать схему подключения измерительных приборов для наблюдения входной характеристики биполярного транзистора на экране осциллографа, основываясь на двух вариантах подключения амперметра и вольтметра к участку цепи. При исследовании принять необходимые меры, чтобы не вывести транзистор из строя вследствие превышения максимально допустимой мощности рассеивания транзистора. Рассчитать сопротивление эталонного резистора Rэт для исследования транзистора КТ315.

3. Наблюдение на экране осциллографа выходной характеристики биполярного транзистора в схеме включения с общим эмиттером.

Выбрать схему подключения измерительных приборов для наблюдения выходной характеристики биполярного транзистора на экране осциллографа, основываясь на двух вариантах подключения амперметра и вольтметра к участку цепи. Рассчитать сопротивление эталонного резистора Rэт и сопротивление ограничительного резистора в цепи базы Rогр, выбрать питающие напряжения для исследования транзистора КТ315.

4. Наблюдение на экране осциллографа стоко-затворной и стоковой характеристик полевого транзистора в схеме включения с общим истоком.

Выбрать схемы подключения измерительных приборов для наблюдения стоко-затворной и стоковой  характеристик полевого транзистора на экране осциллографа. Рассчитать сопротивление эталонного резистора Rэт для исследования транзистора КП303. Объяснить, почему при расчете сопротивления эталонного резистора можно не учитывать входное сопротивление канала «Y» осциллографа.

5. Мультивибратор с корректирующими диодами.

Зарисовать осциллограммы в наиболее характерных точках схемы мультивибратора на транзисторах с корректирующими диодами. Сравнить осциллограммы  при напряжении питания 3 В для двух одинаковых мультивибраторов, отличающихся только транзисторами (в одном случае германиевые транзисторы, в другом – кремниевые).

Примечание: для установления временных соотношений между различными осциллограммами воспользоваться двухлучевым осциллографом.

6. Переходные процессы в RC-цепях.

Пронаблюдать форму импульсов на выходе дифференцирующей и интегрирующей RC-цепей при наличии на их входах прямоугольных импульсов напряжения. Рассмотреть случаи трех существенно различающихся постоянных времени RC-цепи и двух существенно различающихся  скважностей прямоугольных импульсов. По форме импульсов на выходе RC-цепи при наличии на ее входе прямоугольных импульсов определить частоту среза RC-цепи. Исследовать переходные процессы в дифференцирующей и интегрирующей RC-цепях при подключении их к генератору прямоугольных импульсов напряжения.

Примечание. Студент выполняет на лабораторном занятии  только одно задание, номер которого соответствует номеру рабочего места студента в лаборатории. Полученные результаты доводит до сведения всех студентов подгруппы на следующем лабораторном занятии.